SI6433BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6433BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6433BDQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6433BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6433BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6433BDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:40 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 60.4 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS BIDIR 400W 13V 10% SMA
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 80V 28A PPAK 8SOIC
- 电路板衬垫,支座 Richco Plastic Co Hockey Puck SPACER STACK SELF-RET #6 3/8"
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 62.0K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS R/A .156 SLD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc DAUGHTER CARD W/SI3201 INTERFACE
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 80V 8-SOIC
- 电路板衬垫,支座 Richco Plastic Co Hockey Puck SPACER STACK SELF-RET #6 1/2"
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 64.9K OHM 1/4W .5% SMD 1206