SI7852ADP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1825pF @ 40V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7852ADP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1825pF @ 40V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7852ADP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1825pF @ 40V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7852ADP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1825pF @ 40V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7852ADP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 30A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1825pF @ 40V
- 功率_最大:62.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7852DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:80V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:41nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT D BOTTOM 300W
- 圆形 - 触点 Bulgin DO-204AC,DO-15,轴向 CONT PIN CRIMP 14-18AWG GOLD
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 80V 12A 8-SO
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 30V 5% SMD DO-218AB
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC RECTIFIER SIL 3A 1000V DO-214AB
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc SPAK-5 IC REG LDO 0.9V 3A SPAK-5
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERMINAL AND HOUSING
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRACKT FRONT FOR S82H-50
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-218AB TVS 6W 36V 5% SMD DO-218AB
- RF 评估和开发套件,板 Silicon Laboratories Inc SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc SPAK-5 IC REG LDO 1.2V 3A SPAK-5
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT G DIN-RAIL 300W
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRACKT FRONT FOR S82H-50
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AA,SMB DIODE GPP 3A 1000V SMB