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» 型号"SI8435DB-T1-E1"的供应信息
SI8435DB-T1-E1 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI8435DB-T1-E1详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装:4-Microfoot
包装:Digi-Reel®
SI8435DB-T1-E1详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装:4-Microfoot
包装:带卷 (TR)
SI8435DB-T1-E1详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:41 毫欧 @ 1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1600pF @ 10V
功率_最大:6.25W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-XFBGA,CSPBGA
供应商设备封装:4-Microfoot
包装:剪切带 (CT)
SI8435DB-T1-E1供应商
SI8435DB-T1-E1
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
SI8435DB-T1-E1
深圳市科雨电子有限公司
171-4729-1886
SI8435DB-T1-E1
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
SI8435DB-T1-E1
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SI8435DB-T1-E1
现代芯城(深圳)科技有限公司
0755-82542579
SI8435DB-T1-E1
深圳市华睿芯科技有限公司
0755-23914326
SI8435DB-T1-E1
深圳市励芯恒智能科技有限公司
0755-23487994
SI8435DB-T1-E1
深圳德田科技有限公司
0755-83254070
SI8435DB-T1-E1
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
SI8435DB-T1-E1
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SI8435DB-T1-E1
北京显周科技有限公司
13910052844(微
SI8435DB-T1-E1
深圳市涛能电子科技有限公司
13537790913
SI8435DB-T1-E1
北京首天伟业科技有限公司
010-62962871、
SI8435DB-T1-E1
深圳市潮南大宇电子有限公司
0755-23956875
SI8435DB-T1-E1
北京显周科技有限公司
13910052844(微
SI8435DB-T1-E1
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
查看更多SI8435DB-T1-E1的供应商
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