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SIE860DF-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.1 毫欧 @ 21.7A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（M）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（M）; 包装：带卷 (TR)

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