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SIZ910DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DUAL D-S; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W，100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-PowerPair?; 包装：Digi-Reel®

SIZ910DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DUAL D-S; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W，100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-PowerPair?; 包装：剪切带 (CT)

SIZ910DT-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 30V DUAL D-S; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 15V; 功率_最大：48W，100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerWDFN; 供应商设备封装：8-PowerPair?; 包装：带卷 (TR)

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