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SSTA28 全国供应商、价格、PDF资料

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SSTA28T116详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 80V 0.3A SOT23
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):300mA
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
电流_集电极截止(最大):500nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SST3
包装:剪切带 (CT)

SSTA28T116详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 80V 0.3A SOT23
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):300mA
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
电流_集电极截止(最大):500nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SST3
包装:带卷 (TR)

SSTA28T116详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 80V 0.3A SOT23
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流_集电极333Ic444(最大):300mA
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 100µA,100mA
电流_集电极截止(最大):500nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10000 @ 100mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SST3
包装:Digi-Reel®

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