STB21NM60N 全国供应商、价格、PDF资料
STB21NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB21NM60N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB21NM60N-1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:66nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
STB21NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB21NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB21NM60ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:17A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:220 毫欧 @ 8.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1800pF @ 50V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Vishay Semiconductor Opto Division 6-DIP(0.300",7.62mm) OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 20% 6DIP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 二极管,整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 50V SMPC
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-DIP(0.300",7.62mm) OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-DIP
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
- 二极管,整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 60V SMPC
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 6-SMD OPTOCOUPLER TRANS-OUT 6-SMD
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMPC
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 8A 100V SMP
- 光隔离器 - 晶体管,光电输出 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) OPTOCOUPLR PHOTO TRANS 2CH 8SOIC