STB30NF20详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1597pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB30NF20详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1597pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB30NF20详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1597pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB30NF20L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A, 5V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB30NF20L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A, 5V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB30NF20L详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 200V 30A D2PAK
- 系列:STripFET™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 15A, 5V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1990pF @ 25V
- 功率_最大:150W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 13PF 500V 2% 1111
- 嵌入式 - DSP(数字式信号处理器) Texas Instruments 256-BGA IC FIXED POINT DSP 256-BGA
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 33UF 25V 10% 2917
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
- 矩形- 接头,公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 38POS SNGL 2MM SMD
- 嵌入式 - DSP(数字式信号处理器) Texas Instruments 532-BFBGA,FCBGA IC FIXED-POINT DSP 532-FCBGA
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 IC REG LDO ADJ 1A 20-HTSSOP
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 13PF 500V 2% 1111
- 嵌入式 - DSP(数字式信号处理器) Texas Instruments 532-BFBGA,FCBGA IC FIXED POINT DSP 532-FCBGA
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 33UF 20V 20% 2917
- 嵌入式 - DSP(数字式信号处理器) Texas Instruments 532-BFBGA,FCBGA IC FIXED POINT DSP 532-FCBGA
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 15PF 500V 1% 1111
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG LDO 1.5V 1A 8-SOIC
- 嵌入式 - DSP(数字式信号处理器) Texas Instruments 532-BFBGA,FCBGA IC FIXED-POINT DSP 532-FCBGA
- 矩形- 接头,公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 39POS SNGL 2MM SMD