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STL12N3LLH5 全国供应商、价格、PDF资料

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STL12N3LLH5详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
系列:STripFET™ V
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(3.3x3.3)
包装:Digi-Reel®

STL12N3LLH5详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
系列:STripFET™ V
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(3.3x3.3)
包装:剪切带 (CT)

STL12N3LLH5详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
系列:STripFET™ V
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:12A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9 毫欧 @ 6A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
功率_最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerVDFN
供应商设备封装:PowerFlat?(3.3x3.3)
包装:带卷 (TR)

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