UPA2719AGR-E1-AT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET LV 8SOP
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2010pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-PSOP
- 包装:带卷 (TR)
UPA2719AGR-E1-AT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET LV 8SOP
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2010pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-PSOP
- 包装:剪切带 (CT)
UPA2719AGR-E1-AT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET LV 8SOP
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2010pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-PSOP
- 包装:Digi-Reel®
UPA2719AGR-E2-AT详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Renesas Electronics America
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2010pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-PSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 48.7K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 24.9K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 2700UF 35V 20% RADIAL
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 单 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET LV 8SOP
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 330K OHM .40W 0.1% 2010
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 阵列 Renesas Electronics America 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
- 电路板衬垫,支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 电容器 Nichicon 径向,Can CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805