US5K3TR详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:-
- Id时的Vgs333th444(最大):-
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TUMT5
- 供应商设备封装:TUMT5
- 包装:剪切带 (CT)
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC HALL EFFECT SW TSOT-23
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 38.3K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 12.7K OHM .40W 0.1% 2010
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV IC HALL EFFECT SW UNIPO TO-92
- FET - 单 Toshiba 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV
- 圆形 - 外壳 Souriau Connection Technology 0402(1005 公制) CONN PLUG CABLE 4POS FEMALE
- 钽 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP TANT 100UF 4V 20% 1210
- 磁性 - 霍尔效应,数字式开关,线性,罗盘 (IC) Melexis Technologies NV TO-226-3,TO-92-3 短体 IC HALL EFFECT SW MP TO-92UA
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 392K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 圆形 - 外壳 Souriau Connection Technology 0402(1005 公制) CONN PLUG CABLE 8POS FEMALE
- FET - 单 Toshiba 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V 30A 8-TSSOP ADV
- 钽 AVX Corporation 1210(3528 公制) CAP TANT 100UF 4V 20% 1210
- FET - 单 Rohm Semiconductor TUMT5 MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 39.0K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010(5025 公制) RES 133K OHM .40W 0.1% 2010