ZXTN19020DZTA 全国供应商、价格、PDF资料

ZXTN19020DZTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN HI GAIN 20V SOT89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：7.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 375mA，7.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 100mA，2V

功率_最大：2.4W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：剪切带 (CT)

ZXTN19020DZTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN HI GAIN 20V SOT89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：7.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 375mA，7.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 100mA，2V

功率_最大：2.4W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：Digi-Reel®

ZXTN19020DZTA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN HI GAIN 20V SOT89

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：7.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：20V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 375mA，7.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：300 @ 100mA，2V

功率_最大：2.4W

频率_转换：160MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：SOT-89-3

包装：带卷 (TR)