单点APD雪崩管(各种峰值波长）

单点APD雪崩管(各种峰值波长） 属性

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单点APD雪崩管(各种峰值波长） 描述

气体探测器
光电探测器
光电开关
发射管LED
光敏管
硅光电池
单点APD雪崩管(各种峰值波长）
APD（雪崩二极管）模块/APD线阵、面阵
盖革Geiger APD
四象限探测器
PSD（位置传感器）
CCD(驱动板）
红外光电探测器
单光子计数模块
激光管/激光模组/带致冷激光模组
热释电探测器
热电堆探测器(阵列)

金属探测器
silonex光电
Advanced Photonix光电关于微波传感器 MC系列产品
MC微波模块应用产品
MC平面微带介质谐振传感器
MC波导谐振型传感器
实用电路与比较
可调范围微波传感器

微波雷达感应开关
声光控开关
LED感应开关
人体红外线感应开关
自动门微波传感器
SS-968雷达模块
SS-9261雷达探测器
TWH9251A 雷达探测器模块
振动传感器
人体接近传感器
ATM人体接近传感器
微波传感器
微波探测器传感器
ATM微波传感器
微波传感器/微波移动探测器
微波雷达测速测距传感器
超声波测距控制器
交通雷达传感器
安防报警/消防设施传感器
雷达探测器/雷达模块
射频物位开关
陀螺传感器/陀螺仪
磁场传感器/磁敏传感器
旋转编码器/轴角传感器/角度
霍尔元件/霍尔IC/霍尔传感器

　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　
　




　
内置放大APD雪崩二极管
InGaAs雪崩光电二极管
APD四象限探测器
线阵、面阵APD雪崩二极管

蓝光增强APD雪崩二极管
红光增强APD雪崩二极管
高速高增益APD雪崩二极管
近红外增强APD雪崩二极管

1064nm YAG 增强APD雪崩二极管
reach-through 结构APD雪崩二极管
日本滨松APD雪崩二极管
APD雪崩二极管 > 内置放大APD雪崩二极管

　 内置放大APD雪崩二极管
　
内置放大APD雪崩二极管

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装

AD230-8-2G-MINI Ø0.23 50@800nm 0.3 0.18 1.2 80-160 0.45 TO
AD230-2.3G-TO5 Ø0.23 50@800nm 0.3 0.18 1.2 80-200 0.45 TO5
AD500-1.3G-TO5 Ø0.5 50@800nm 0.5 0.35 2.2 80-200 0.45 TO5
AD500-8-1.3G-MINI Ø0.5 50@800nm 0.5 0.35 2.2 80-160 0.45 TO5
AD230-9-400M-TO5 Ø0.23 60@905nm 0.5 0.50
0.8 160-240 1.55 TO5
AD500-9-400M-TO5 Ø0.5 60@905nm 0.5 0.55 1.2 160-240 1.55 TO5
　




InGaAs雪崩光电二极管

型号 光敏面积(-) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) 噪声等效功率(pW/sqrt Hz) 上升时间(ns) 带宽(GHz) 击穿电压(V) 温度(V/°C) 封装(-)
IAG 080X Ø80 10@1550nm 1 0.1 0.14 2.5@M=10 65 0.06 S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG 200X Ø200 10@1550nm 8 0.032 0.23 1.5@M=10 63 0.075 S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG 350X Ø350 10@1550nm 190 0.12 0.58 0.6@M=10 55 0.078 S5,S6,S7,T6,T8,Y1




APD四象限探测器

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装(-)

QA4000-9-TO8Si Ø4000 58@905nm 4 2@905,VOP,5Ω 7 160-240 1.45 TO8Si
QA4000-10-TO8Si Ø4000 36@1060nm 7 5@905,VOP,5Ω 4 220-600 3.3 TO8Si




线阵、面阵APD雪崩二极管

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
NEP(W/√Hz)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装(-)

AA8-9SOJ22GL 1000*405*8 60@905nm 5 2E-14 2 2 100-300 1.55 SOJ22GL
AA16-0.13-20SOJ22GL 648*208*16 60@905nm 5 2E-14 2 1.5 100-300 1.55 SOJ22GL
AA16-9DIL18 648*208*16 60@905nm 5 2E-14 2 2 100-300 1.55 DLIL18
AA16D-20SOJ22GL 1000*405*16 60@905nm 5 2E-14 2 2 100-300 1.55 SOJ22GL
25AA0.04-9
205*205*(5*5)
60@905nm
0.3

2
1
200
1.45
BGA

25AA0.16-9
405*405*(5*5)
60@905nm
1.2

4
4
200
1.45
BGA

64AA0.04-9
205*205*(8*8)
60@905nm
0.3

2
1
200
1.45
BGA

　



蓝光增强APD雪崩二极管

型号 光敏面直径(µm) 峰值响应(A/W) 暗电流(nA) NEP(W/√Hz) 上升时间(ns) 结电容(pF) 击穿电压(V) 温漂(V/K) 封装(-)
AD800-11-TO52S1 Ø800 25@400,M=100 1@M=100 1E-14@M=100 1@410nm,50Ω 2.5@1000kHz,M=100 100-200 0.88 TO52S1
AD1900-11-TO5i Ø1900 25@400,M=100 5@M=100 2.5E-14@M=100 2@410nm,50Ω 10@1000kHz,M=100 100-200 0.88 TO5i
　




红光增强APD雪崩二极管

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装(-)

SAE230VX 230 650 10 450 4@M=100 230 0.2 L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2
SAE500VX 500 650 10 450 4@M=100 230 0.2 L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2
　



高速高增益雪崩二极管

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
NEP(W/√Hz)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装

AD230-8-LCC6.1 Ø0.23 50@800nm 0.25...0.5 1E-14 0.18 1.2 80-200 0.45 LCC6.1
AD230-8-LCC6.1f Ø0.23 32@800nm 0.25...0.5 1E-14 0.18 1.2 80-200 0.45 LCC6.1f
AD230-8-TO52S3 Ø0.23 50@800nm 0.3 1E-14 0.18 1.2 80-200 0.45 TO52S3
AD500-8-TO52S2 Ø0.5 50@800nm 0.5-1 2E-14 0.35 2.2 120-190 0.45 TO52S2
AD100-8-TO52S1 Ø0.1 50@800nm 0.05 3E-15 0.8 120-190 0.45 TO52S1
AD230-8-TO52S1 Ø0.23 50@800nm 0.3 1E-14 0.18 1.2 80-200 0.45 TO52S1
AD500-8-LCC6.1 Ø0.5 50@800nm 0.25...0.5 2E-14 0.35 2.2 80-200 0.45 LCC6.1
AD500-8-LCC6.1f Ø0.5 32@800nm 0.25...0.5 2E-14 0.35 2.2 80-200 0.45 LCC6.1f
AD500-8-TO52S1 Ø0.5 50@800nm 0.5-1 2E-14 0.35 2.2 80-200 0.45 TO52S1
AD500-8-TO52S3 Ø0.5 50@800nm 0.5-1 2E-14 0.35 2.2 80-200 0.45 TO52S3
AD800-8-TO5i Ø0.8 50@800nm 2 4E-14 0.7 5 120-190 0.45 TO5i
AD1100-8-TO5i Ø1.13 0.5@800nm 4-6 8E-14 1 8 120-190 0.45 TO5i
AD1900-8-TO5i Ø1.95 0.5@800nm 15 1.5E-13 1.4 20 120-190 0.45 TO5i
AD2500-8-TO5i Ø2.52 50@800nm 20 3E-13 1.5 28 120-190 0.45 TO5i
AD3000-8-TO5i Ø3 50@800nm 30 9E-13 2 45 120-190 0.45 TO5i
AD5000-8-TO8i Ø5 50@800nm 60 9E-13 3 120 120-190 0.45 TO8i
　



近红外增强APD雪崩二极管

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
NEP(W/√Hz)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装

AD500-9-TO52S1 Ø500 60@905nm 0.5-1 2E-14 0.55 1.2 160-240 1.55 TO52S1
AD500-9-TO52S3 Ø500 60@905nm 0.5-1 2E-14 0.55 1.2 160-240 1.55 TO52S3
AD003B-9-TO5i 1100×300 60@905nm 2 3E-14 1 2 Min 120 1.55 TO5i
AD100-9-TO52S1 Ø100 50@905nm 0.1 6E-15 0.5 0.6 180-240 1.55 TO52S1
AD230-9-TO52S1 Ø230 60@905nm 0.6 1E-14 0.5 0.8 160-240 1.55 TO52S1
AD230-9-TO52S3 Ø230 60@905nm 0.6 1E-14 0.5 0.8 160-240 1.55 TO52S3
AD500-9TO52S1F2 Ø500 52@905nm 0.5-1 2E-14 0.55 1.2 120-300 1.55 TO52S1F2
AD500-9-TO52S2 Ø500 60@905nm 0.5-1 2E-14 0.55 1.2 180-240 1.55 TO52S2
AD800-9-TO5i Ø800 60@905nm 2 4E-14 1.3 2 180-240 1.55 TO5i
AD1100-9-TO5i Ø1130 60@905nm 4-6 8E-14 1.3 3 180-240 1.55 TO5i
AD1900-9-TO5i Ø1950 60@905nm 15 1.5E-13 1.4 8 180-240 1.55 TO5i
AD2500-9-TO5i Ø2520
60@905nm
20
3E-13
1.5
12
180-240
1.55
TO5i

AD3000-9-TO5i Ø3000
60@905nm
30
4.5E-13
2
18
180-240
1.55
TO5i

AD5000-9-TO8i Ø5000
60@905nm
60
9E-13
3
45
180-240
1.55
TO8i

　



1064nm YAG 增强APD雪崩二极管

　

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
暗电流(nA)
上升时间(ns)
结电容(pF)
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装(-)

AD500-10-TO5i Ø500 40@1060nm 5 5@1060,VOP,5Ω 0.8 320-500 3.5 TO5i
AD1500-10-TO5i Ø1500 45@1060nm 10 8@1060,VOP,5Ω 1.9 300-500 3.5 TO5i
800-10 TO8Si Ø800 36@1064nm 3 5@1064nm,VOP,50Ω 1 220-600 3.3 TO8Si
　



reach-through 结构APD雪崩二极管

　

型号
光敏面直径(µm)
峰值响应(A/W)
@905,M=100
暗电流(nA)
@M=100
NEP(W/√Hz)
上升时间(ns)
@M=100
结电容(pF)
@M=100
击穿电压(V)
温漂(V/K)
封装(-)

SAR500S2 Ø500 60 1.5 　 0.45 1.5 170-350 1 F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8
SAR1500x Ø1500 60 0.75 　 0.5 4 200-300 2 E1,G1,T6
SAR3000x Ø3000 60 1 　 0.5 7 200-300 2 E1,G1,T6
SARP500X Ø500 60 0.5 　 0.45 1.5 170-350 1 F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8
　



公司代理日本进口滨松APD雪崩二极管，常用型号有S10341-02,S9717-02K,S9717-05K,S2381,S2382,S2383等用于低成本激光测距





APD雪崩管 C30659
　
每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大
器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。
C30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有４种型号使用硅晶体
雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准
频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷
(LLAM 系列)，帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。
C30659 型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定
制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件，可以达到几乎100 %耦合效率。
C30950EH是可以替代C30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入
电容。C30919E 与C30950EH 使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持
模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV 模块可用于低频高增益应用，它涵盖
了从紫外线到接近红外线的广谱范围。
应用
• 激光测距仪
• 共焦显微镜检查
• 视频扫描成像仪
• 高速分析仪器
• 自由空间通信
• 紫外线传感
• 分布式温度传感器
特点和优点
• 超低噪声
• 高速
• 高互阻抗增益

常用型号

C30659-900-R5BH， C30659-900-R8AH， C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH
C30659-1550-R08BH，C30659-1550-R2AH C30919E C30950EH

LLAM-1550-R2A LLAM-1060-R8BH
HUV-1100BGH HUV-2000BH

　

紫外发光二极管 深紫外发光二极管 近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管 大功率深紫外发光二极管
发光二极管驱动 　

激光二极管 气体分析用激光二极管 超辐射激光二极管 　
通用激光二极管 　 激光二极管驱动控制器 　
光纤耦合激光二极管 激光二极管配件
大功率泵浦激光二极管模块 半导体光学放大器

红外发光二极管 大功率红外发光二极管 中红外发光二极管
发光二极管驱动 近红外发光二极管

光电探测器 热电堆探测器 硅光电探测器
热释电探测器 锗光电探测器
中红外光电探测器 InGaAs光电探测器
紫外探测器 　 双波段探测器

CO 红外探测器 CH4红外探测器 CO2红外探测器 SF6红外探测器 SO2红外探测器 HC红外探测器
红外光源 红外光电气体传感器 NDIR红外气体传感器 红外温度传感器 红外气体分析器件
CO2红外光源 CH4红外光源 CO红外光源 C3H8红外光源 C4H10红外光源 C2H4红外光源 C2H2红外光源 SF6红外光源 SO2红外光源 HC红外光源
安防产品 主动红外 被动红外 门窗磁控感应器
其它产品 电子元器件产品 液位传感器 接近传感器
干簧管 磁簧继电器 光电传感器 液位开关
浮子 　 　 　

becker-hickl光子计数产品中国代理资料下载 Excelitas单光子计数器 SPD单光子计数器 Hamamatsu光子计数模块HORIBA光子计数代理美国斯坦福单光子计数器TH单光子计数器 COUNT单光子计数器 PILATUS光子计数器 其它光子计数器



　

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