HMC7891

HMC7891属性

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HMC7891描述

Analog Devices HMC8410CHIPS 产品系列为砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单片微波集成电路(MMIC)宽带宽低噪声放大器(LNA)。 带宽范围为0.01-10GHz以及直流至28GHz。

该HMC84xx放大器具有高增益、低噪声系数以及高输出三阶交调截取点(IP3)。 该器件高达22.5dBm的饱和输出功率(PSAT)使得HMC84xx LNA可用作本地振荡器(LO)驱动器。

输入/输出(I/O)内部匹配至50Ω，HMC84xx放大器非常适合用于几乎表面贴装技术(SMT)的高容量微波无线电应用。

特性
高射频宽带（增益）：
HMC8401：直流至28GHz (13.5dB)
HMC8410：0.01至10GHz (13.5dB)
低噪声系数：
HMC8401： <2dB至15GHz
HMC8410： <1.5dB至8GHz
高输出三阶交调截取点（IP3）：
HMC8401：26dBm（典型值）
HMC8410：33dBm（典型值）
输入回波损耗：
HMC8401： >12dB全频带
HMC8410： >10dB至最高6GHz
输出回波损耗
HMC8401： >10dB全频段
HMC8410： >10dB至最高8GHz
线性度
HMC8401： >32dB全频带
HMC8410： >26dB至最高15GHz
电源电压：
HMC8402：7.5V，60mA
HMC8402： 7V，68mA
饱和输出功率 (PSAT）
HMC8401：19dBm（典型值）
HMC8410： 高达22.5Bm
50Ω匹配输入输出
温度范围
HMC8401：-40oC至+85oC
HMC8410： - 55oC至+85oC

应用
测试仪器
微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
军事和太空
电信基础设施
光纤


Quick ViewHMC8410LP2FETR
0.01 GHz to 10 GHz
19.5 dB
1.1 dB
21 dBm
6 dB
1.3 W

Quick ViewHMC8402
2 GHz to 30 GHz
13.5 dB
2 dB
21.5 dBm
10 dB
1.55 W

Quick ViewHMC8410LP2FE
10 MHz to 10 GHz
16 dB
1.7 dB
19.5 dBm
6 dB
1.3 W

Quick ViewHMC8401
DC to 28 GHz
14.5 dB
1.5 dB
16.5 dBm
15 dB
1.67 W

Quick ViewHMC8410CHIPS

Quick ViewHMC8400
2 GHz to 30 GHz
13.5 dB
2 dB
13.5 dBm
15 dB
1.55 W

Quick ViewHMC8401-SX
DC to 28 GHz
14.5 dB
2 dB
14 dBm
15 dB
1.67 W


Quick ViewHMC8400-SX
2 GHz to 30 GHz
13.5 dB
2.5 dB
13.5 dBm

15 dB
1.55 W

Quick ViewHMC8402-SX
2 GHz to 30 GHz
13 dB
3 dB
19 dBm
10 dB
1.55 W

Quick ViewHMC8410CHIPS-SX
10 MHz to 10 GHz
16 dB
1.7 dB
19.5 dBm
6 dB
1.2 W

EVAL-HMC8410评估板是一款4层板。 该板基于Rogers 4350和最佳实践而开发，设计用于高频射频设计。 射频输入和射频输出追踪提供50Ω特性阻抗。 HMC8410评估板及其板上元件可在−40°C至+85°C的环境温度范围内工作。

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