CSD19535KTT

CSD19535KTT属性

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CSD19535KTT描述

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 197 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 75 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 4.7 mm
长度: 9.25 mm
系列: CSD19535KTT
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 10.26 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 301 S
下降时间: 15 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
单位重量: 2.200 g

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