CSD25402Q3A

发布时间：2020/12/3 14:36:14
所属类别：三极管 » 其他三极管
公司：深圳市川蓝电子科技有限公司
联系人：彭小姐

CSD25402Q3A属性

本站价格：优势
用途：晶体管
规格：MOSFET P-CH Pwr MOSFET
市场价格：优势
生产厂家：TI

CSD25402Q3A描述

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS:无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 650 mV
Qg-栅极电荷: 7.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 69 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.9 mm
长度: 3.15 mm
系列: CSD25402Q3A
晶体管类型: 1 P-Channel Power MOSFET
宽度: 3 mm
商标: Texas Instruments
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
单位重量: 27.800 mg

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