FDN5618P
- 发布时间：2021/9/6 11:10:42
- 所属类别：集成电路 » 集成电路
- 公 司：深圳市百润电子有限公司
- 联 系 人：梁小姐
FDN5618P属性
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- ON/安森美
FDN5618P描述
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 13.8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 4.3 S
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
系列: FDN5618P
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 16.5 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
宽度: 1.4 mm
零件号别名: FDN5618P_NL
单位重量: 30 mg
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