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IRLML6402TRPBF

IRLML6402TRPBF产品图片
  • 发布时间:2021/10/14 11:00:49
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市腾桩电子有限公司

IRLML6402TRPBF属性

  • IRLML6402TRPBF
  • INFINEON

IRLML6402TRPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
零件号别名: IRLML6402TRPBF SP001552740
单位重量: 8 mg


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