IRF6623TR1PBF

IRF6623TR1PBF属性

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IRF6623TR1PBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-ST
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 11 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 4.5 ns
正向跨导 - 最小值: 34 S
高度: 0.7 mm
长度: 4.85 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: DirectFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 9.7 ns
宽度: 3.95 mm
零件号别名: SP001531670
单位重量: 500 mg

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