IRF1010EPBF
- 发布时间：2021/12/1 15:40:57
- 所属类别：三极管 » 低频大功率三极管/音响功率对管
- 公 司：深圳市兴科泰科技有限公司
IRF1010EPBF属性
- TO-220
- IR
IRF1010EPBF描述
IRF1010EPBF品牌 IR
IRF1010EPBF封装TO-220
IRF1010EPBF原装现货
IRF1010EPBF参数
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
130 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3210 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
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