IRGP50B60PDPBF

IRGP50B60PDPBF属性

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IRGP50B60PDPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
Pd-功率耗散: 370 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
商标: Infineon / IR
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
400
子类别: IGBTs
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

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