IPA60R099C6

IPA60R099C6属性

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IPA60R099C6描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220FP-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 37.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 119 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 35 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
高度: 16.15 mm
长度: 10.65 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
系列: CoolMOS C6
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: 600 V CoolMOS C6 Power Transistor
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 4.85 mm
零件号别名: SP000658000 IPA6R99C6XK IPA60R099C6XKSA1
单位重量: 2 g

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