STS10N3LH5

STS10N3LH5属性

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STS10N3LH5描述

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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 22 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 4.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
系列: STS10N3LH5
2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 74 mg

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