FDC658P

FDC658P属性

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FDC658P描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 12 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 14 ns
正向跨导 - 最小值: 9 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
系列: FDC658P
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 24 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC658P_NL
单位重量: 36 mg

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