BST82,215

BST82,215属性

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BST82,215描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 190 mA
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: -
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 830 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Nexperia
配置: Single
高度: 1 mm
长度: 3 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel MOSFET
宽度: 1.4 mm
零件号别名: 933733110215
单位重量: 8 mg

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