SPW47N60C3

SPW47N60C3属性

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SPW47N60C3描述

参数名称 参数值
Source Content uid SPW47N60C3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1918651822
零件包装代码 TO-247AC
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 1.81
Samacsys Description N-channel MOSFET,SPW47N60C3 47A 650V
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 1800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 47 A
最大漏极电流 (ID) 47 A
最大漏源导通电阻 0.07 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 415 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 141 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON

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