FDV301N

FDV301N属性

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FDV301N描述

参数名称 参数值
Source Content uid FDV301N
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 4001113564
包装说明 SOT-23, 3 PIN
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 43 weeks
风险等级 1.05
Samacsys Description MOSFET N-Channel 25V 0.5A SOT23 Fairchild FDV301N N-channel MOSFET Transistor, 0.22 A, 25 V, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer onsemi
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.22 A
最大漏极电流 (ID) 0.22 A
最大漏源导通电阻 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

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