LT1632SR-Y领泰N沟道增强模式功率MOSFET
LT1632SR-Y领泰N沟道增强模式功率MOSFET属性
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LT1632SR-Y领泰N沟道增强模式功率MOSFET描述
LT1632SR-Y
特点:
VDS = 60V,
I D = 22.5A RDS(ON) @VGS= 10V, TYP 24mΩ
RDS(ON) @VGS= 4.5V, TYP 30mΩ
封装:TO252
QQ544144586
电话19928739245
领泰代理全系列型号
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LT8810ESL
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LT8820ESS
LT8810ESS
LT8212ESS-Z
LT8212ESS
LT8212ESS-X
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LT2007EDN_C
LT2004EDN_X
LT2004EDN
LT2003EDN-X
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