MSD7342-472MLC
- 发布时间：2014/9/10 15:54:18
- 所属类别：电感、线圈 » 线绕电感
- 公 司：深圳恒信鸿达电子有限公司
MSD7342-472MLC 属性
- 70
- 通信设备，工业控制系统，医疗军工等行业
- MSD7342-472MLC
- 75
- coilcraft
MSD7342-472MLC 描述
今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员首选可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。
IGBT技术概述
IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (FS) 第一代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步，开始采用50微米晶圆及金属背板，超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。
对比沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT可以发现，前者的电场强度在硅漂移区 (n-FZ)线性递减到0，硅漂移区厚度与耐压成线性正比，因此具有高导通压降和高关断损耗；后者用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度，实现了超薄晶圆，从而实现了低导通压降和低关断损耗 (图1)。
图1：沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT对比
从技术趋势看，6至8英寸晶圆的厚度在不断缩减，从最初的250 μm到目前生产的100 μm和75 μm，还有50 μm和40 μm厚度正在研发当中。可以预期，今后IGBT的性能仍有望提高。OV7950-F48V
OV7955-E53V-PD
OV7959-C48A (CLCC)
OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
OV9665
OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
OV9715-F48Y
OV9726-A40A
OV9740-A46A
OV9810-A70A
OV14825-A16A
OV4680
OVP2200
SOI268 / 2681 BW
SOI268 / 2681 IR
SOI763A
SQ608-L
SQ908-L
安森美半导体IGBT产品及应用市场
安森美半导体提供完善的IGBT产品系列，可以根据频率、应用和电压进行分类 (表1)，不同产品有不同的特性和应用范围。
MSD7342-472MLC 相关产品
- MSD7342-332MLC
- 家用电器 在面向家用电器的应用中，展示了LED照明、图像质量改善IC“TC90232XBG”、智能IP摄像、无刷直流电机矢量控制以及电机驱动控制等。
- CS1050L
- 中国 上海，2013年11月22日–日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体&存储产品公司宣布，在第十五届中国国际高新技术成果交易会（简称高
- D1871L
- Marvell的固态硬盘控制器用于支持SATA或PCIe接口的终端设备，采用了高级架构，能够出色地处理数据流和管理NAND闪存，为移动计算到企业等的广泛应用中快
- D1870L
- Marvell行业领先的固态硬盘控制器技术在全球领先制造商中得到广泛应用，并为其自身丰富的端到端存储、网络、计算、移动和联网解决方案组合提供了出色支持
- MSD7342-562MLC
- 安森美半导体的29款场截止第一代IGBT中600伏 IGBT 性能接近或超过市场领先产品；新发布的8款1200伏/1350伏用于电磁感应加热的场截止型第二代IG
- MSD7342-682MLC
- ) 电机驱动 安森美半导体的通用型600伏非穿通型IGBT包括15到50安培的一系列型号(包括NGTB15N60EG、NGTB30N60FWG和NG
- MSD7342-822MLC
- 5) 不间断电源和太阳能逆变器 安森美半导体用于不间断电源和太阳能逆变器 (包括中点钳位式逆变器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50
- MSD7342-103MLC
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IR3891和IR3892 SupIRB
公网安备44030402000607
