品牌：INFINEON
描述：OptiMOS 2 Power-Transistor
数据列表：IPB06N03LA G
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 40μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：2653pF @ 15V
功率 - 最大：83W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：IPB06N03LAINTRSP0000162
标准包装：1,000
数量：15600
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营INFINEON系列MOSFET管，全新原装正品，公司大量现货库存
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