TPS2829DBVR单通道高速MOSFET驱动，能够将高达2 A的峰值电流传送到高电容负载中。高开关速度(tr和tf=14 ns typ)是通过使用BiCMOS输出获得的。典型的阈值开关电压是2/3和1/3的VCC。这种设计从根本上降低了通过电流的射击。
TPS2829DBVR通过TPS2829DBVR设备提供了一个调节装置，允许在14 V到40 V之间的供应输入。如果电源损耗不超过包装限制，则可以用来给其他电路供电。如果不需要调节器，VDD(调节阀输入)应该连接到VCC。TPS2816和TPS2817的输入电路包括一个主动的拉升电路，在使用开放收集器PWM控制器时，可以消除外部电阻的需要。TPS2818和TPS2819与TPS2816和TPS2817完全相同，只是省略了主动的拉升电路。TPS2828和TPS2829DBVR与TPS2818和TPS2819是相同的，除了内部的电压调节器被省略了，当输入高或低的时候，允许静止的电流下降到少于15个。
TPS2829DBVR系列设备可在5针sot-23(DBV)包中使用，并可在环境温度范围内运行，温度范围为-40-125摄氏度。
特性
低成本单通道高速MOSFET驱动
国际刑事法庭……15-uA Max(TPS2828 TPS2829DBVR)
25-n的最大值/下降时间和40-n的最大传播延迟。1 nf负载
a峰值输出电流
4-v-14-v驱动电压范围;内部监管机构将范围扩大到40伏(TPS2816，TPS2817，TPS2818，TPS2829DBVR)
5针SOT-23包
零下40度到125摄氏度的环境温度工作范围
高度抗封闭
