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Microchip Technology SST25WF040B/80B SPI串行闪存芯片设计采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装。这些串行闪存占用的电路板空间极小，可降低系统总成本。SST25WF040B/80B串行闪存芯片采用高性能CMOS SuperFlash技术制造而成。这些串行闪存采用分离栅极设计和厚氧化层隧穿注入器，可实现更高的可靠性。
SST25WF040B/80B串行闪存在1.65V至1.95V的单电源电压范围内写入（编程或擦除）。这些串行闪存利用SuperFlash技术（可实现低耗电流）进行编程并缩短擦除时间。这样即可减少在任何擦除或编程操作期间的总能量消耗。SST25WF040B/80B串行闪存采用8引脚SOIC和8触点USOIN封装
串行接口架构：
SPI兼容：
模式0和模式3
双输入/输出支持：
快速读取双输出指令 (3BH)
快速读取双I/O指令 (BBH)
写入结束检测：
软件轮询状态寄存器中的BUSY位
保持引脚 (HOLD#)：
暂停串行序列而不取消选择设备
写保护 (WP#)：
启用/禁用状态寄存器的锁定功能
软件写保护：
通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
采用以下封装：
8引脚SOIC (150 mils)
8引脚USON (2mm x 3mm）
符合RoHS指令
1.65V至1.95V单电压读写操作
高速时钟频率为40MHz
出众的可靠性：
100000个周期
数据保留超过20年
超低功耗：
4mA有源读取电流
待机电流：7μA
2μA掉电模式待机电流
灵活的擦除功能：
统一的4KB扇区
统一的64KB重叠块
页面程序模式：
256字节/页面
快速擦除和页面编程：
400ms芯片擦除时间
40ms扇区擦除时间
80ms块擦除时间
0.8ms/256B页面编程时间
工业温度范围：-40°C至85°C
扩展温度范围：-40°C至125°C
SST25WF080B-40E/SN SST25WF040B-40E/SN 制造商: Microchip
产品种类: NOR闪存
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: SST25WF
存储容量: 8 Mbit
最大时钟频率: 40 MHz
接口类型: SPI
组织: 1 M x 8
定时类型: Synchronous
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 1.65 V
电源电压-最大: 1.95 V
电源电流—最大值: 15 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tube
速度: 40 MHz
商标: Microchip Technology
产品类型: NOR Flash
工厂包装数量: 100
子类别: Memory & Data Storage
SST25WF040B-40E/SN
SST25WF040BT-40E/SN
SST25WF080BT-40E/SN
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