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据外媒报道称，海力士公司(SK Hynix Inc.)近日宣布，它已经开发并开始大规模生产世界上第一个128层1 Tb (Terabit) TLC(三层单元)4D NAND闪存，距离该公司去年发布96层4D NAND闪存仅8个月。
据介绍，128层的1Tb NAND芯片提供了业界最高的垂直堆叠，拥有3600多亿个NAND单元，每个单元在一个芯片上存储3比特。为此，海力士应用创新技术，如“超均匀垂直蚀刻技术”、“高可靠性多层薄膜细胞形成技术”和超快速低功耗电路设计以实现自己的4D NAND技术。
新产品为薄层色谱NAND闪存提供了业界最高的1Tb密度，包括海力士在内的许多公司已经开发了1 Tb QLC(四级细胞)NAND产品但海力士是第一个将1 Tb TLC NAND闪存商业化的公司。TLC在NAND闪存市场中占有85%以上的份额，具有良好的性能和可靠性。
该公司4D NAND最大的优势是芯片尺寸小，这使得海力士能够实现超高密度NAND闪存。该公司在2018年10月宣布了创新的4D NAND，它结合了3D CTF(电荷撷取闪存)设计和PUC技术。
在相同的4D平台和工艺优化下，海力士在现有96层NAND的基础上又增加了32层，使制造工艺总数减少了5%。与以往技术转移相比，96层NAND向128层NAND过渡的投资成本降低了60%，大大提高了投资效率。与该公司96层4D NAND相比，128层1Tb 4D NAND使每块晶圆的产能提高了40%。
海力士的128层4D NAND闪存将从今年下半年开始发货，同时继续推出各种解决方案。该产品采用单芯片四平面架构，数据传输速率达到1400 Mbps(兆比特/秒)，传输速率1.2 V，支持高性能、低功耗的移动解决方案和企业SSD。
海力士计划明年上半年为主要旗舰智能手机客户开发下一代UFS 3.1产品。拥有128层1Tb NAND闪存，比起512Gb NAND产品，1Tb (Tb)产品所需的NAND芯片数量将减少一半，这也是目前智能手机的最大容量。它将为客户提供一个移动解决方案，在1毫米薄的封装中，功耗降低20%。
该公司还计划在明年上半年开始大规模生产一个2 TB的客户端SSD，带有内部控制器和软件。云数据中心的16 TB和32 TB硬盘（(NVMe)也将于明年发布。
海力士执行副总裁、全球销售和营销主管郑勋(Jong Hoon Oh)表示，“海力士凭借这款128层4D NAND芯片，确保了其NAND业务的基本竞争力，凭借这款产品，凭借业界最好的堆积和密度，我们将在合适的时间为客户提供多种解决方案。”海力士正在开发下一代176层4D NAND闪存，并将继续通过技术优势增强其NAND业务的竞争力。
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