SISS22DN-T1-GE3 功率MOSFET针对标准栅极驱动器进行了优化 新款上市！

TrenchFET®功率MOSFET针对标准栅极驱动器进行了优化 Vishay的60 V MOSFET在PowerPAK®1212-8S封装中提高了效率和功率密度

60 V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET是业界首款针对标准栅极驱动进行优化的MOSFET，采用耐热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装，在10 V时提供低至4mΩ的最大导通电阻。Vishay Siliconix SiSS22DN旨在提高开关拓扑结构的效率和功率密度，具有低QOSS和22.5 nC的栅极电荷。

特征 10 V时最大导通电阻低至4mΩ，可最大限度地降低导通损耗 低QOSS为34.2 nC，栅极电荷为22.5 nC，可降低开关时的功率损耗 采用紧凑的3.3 mm x 3.3mmPowerPAK®1212-8S封装 100％RG和UIS测试，符合RoHS标准，不含卤素 应用 AC / DC和DC / DC拓扑中的同步整流 DC / DC转换器中的初级侧开关，降压 - 升压转换器中的半桥MOSFET功率级以及电信和服务器电源中的OR-ing功能 电动工具和工业设备中的电机驱动控制和电路保护 电池管理模块中的电池保护和充电