Si823Hx用于MOSFET和IGBT的稳健隔离栅极驱动器 Silicon Labs升级的ISOdrivers系列专为硅，氮化镓或基于SiC的功率转换器系统而设计
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Silicon Labs的Si823Hx ISO驱动器非常适合驱动用于各种开关电源和电机控制应用的功率MOSFET和IGBT。每个器件将两个隔离栅极驱动器组合成一个封装，用于高功率应用。Si823Hx包括具有独立或高侧/低侧输出的单控制或双控制输入的器件。这些驱动器可以采用3.0 V至5.5 V输入VDD和30 V的最大驱动电源电压工作。
这些驱动器采用Silicon Labs专有的硅隔离技术，在1分钟的隔离电压下支持高达5 kV的RMS。该技术可实现高CMTI（125 kV /μs），更低的传播延迟和偏斜，温度和老化的变化很小，以及部件间匹配较低。该驱动器系列还提供一些独特的功能，例如过温保护，输出欠压锁定（UVLO）故障检测，死区时间可编程性以及默认低电平的故障安全驱动器，以防输入端电源丢失。与光耦合栅极驱动器相比，Si823Hx系列具有更长的使用寿命和更高的可靠性。
特征 单个或双个隔离驱动器在一个包中 2.5 kVRMS和3.75 kVRMS隔离选项 EN引脚增强安全性或DIS引脚选项 PWM和双驱动器版本 VDDI为3.0V至5.5V 4.0汇/源峰值输出 高电磁抗扰度 30 ns最大传播延迟 瞬态抗扰度：> 125 kV /μs 可编程死区时间：20 ns至200 ns Deglitch和噪声滤波器选项可在嘈杂环境中稳定运行 宽工作温度范围：-40°C至+ 125°C 符合RoHS标准的封装 AEC-Q100资格 提供汽车级OPN 汽车应用 车载充电器 电池管理系统 充电站 牵引逆变器 混合动力汽车 电池电动车 工业应用 供电系统 电机控制系统 隔离式DC / DC电源 照明控制系统 太阳能和工业逆变器
