8 Mb 至 128 Mb 高速 CMOS PSRAM
Alliance 的器件提供了替换便携式电子设备中的 SRAM 所需的高带宽和低功耗
AS1C512K16P-70BIN AS1C1M16PL-70BIN AS1C1M16P-70BIN
AS1C2M16P-70BIN AS1C4M16PL-70BIN AS1C8M16PL-70BIN
高速 CMOS 伪 SRAM (PSRAM) 结合了 SRAM 和 DRAM 最理想的特性，为设计人员提供易于使用、低功耗和经济高效的存储器解决方案。这些器件采用具有 SRAM 接口的高密度 DRAM 内核和片上刷新电路，可实现无刷新操作，提供更高的带宽和低功耗，可替代移动电话和 PDA 等便携式电子产品中的 SRAM，或作为 NOR Flash 应用的伴侣芯片。
特性
密度范围广：
8 Mb、16 Mb 和 32 Mb 器件，具有与异步型 SRAM 兼容的接口
64 Mb 和 128 Mb CellularRAM PSRAM，具有多路复用地址/数据总线，可提供更高带宽
提供 6.0 mm x 7.0 mm x 1.0 mm 48 球 FPBGA 和 4.0 mm x 4.0 mm x 1.0 mm 49 球 FPBGA 封装
支持异步和猝发操作
功能读取或写入猝发长度为 4、8、16 或 32 个字，或连续猝发
工作温度范围为 -30°C 至 +85°C 和 -40°C 至 +85°C
快速访问速度为 70 秒
采用 1.7 V 至 1.95 V 或 2.6 V 至 3.3 V 的单电源供电
节能特性
自动温度补偿型自我刷新 (ATCSR)
部分阵列自我刷新 (PASR)
深度断电 (DPD) 模式
应用
无线
汽车
网络
工业
