描述：STH3N150-2
这些功率MOSFET是使用STMicroelectronics整合设计的基于条带布局的MESH OVERLAY过程。 结果是匹配或
改善了其他同类标准零件的性能
制造商。
特征：STH3N150-2
订货代码VDS RDS（on）max。 ID PTOT
STFW3N150
1500 V 9欧姆2.5 A
63瓦
STH3N150-2
STP3N150 140瓦
STW3N150
•经过100％雪崩测试
•固有电容和Qg最小化
•高速切换
•完全隔离的TO-3PF塑料封装，爬电距离为5.4 mm（典型值）
•切换应用
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: H2PAK-2
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29.3 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
系列: STH3N150-2
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
下降时间: 61 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 24 ns
单位重量: 4 g
