DK5V45R10M 原装现货可出样品！

DK5V45R10MSM10东科
主要特点
l适用于反激PSR、SSR应用
l超低VF
l超低温升
l集成45V10mΩ功率NMOS
l可工作于CCM、DCM&QR模式
l自供电技术，无需外围供电
l智能检测系统，无需前端同步信号
l对EMI/C有适当改善
l可以直接替换肖特基二极管
功能描述
DK5V45R10M是一款简单高效的两个管脚的同步整流芯片，无需任何外围，可以大幅降低传统
肖特基二极管的导通损耗，提高整机效率。
1.启动
芯片内置储能电容和自供电线路，可以实现芯片和NMOS管驱动需求，无需外接电源。当K极
电压高于A极时，通过自供电线路，给内置VCC电容充电，VCC电压逐渐上升。在VCC电压低于启
动电压VCC_ON时，内置NMOS管关闭，当VCC电压大于VCC_ON时，芯片内部控制电路开始工作，
启动完成。当VCC电压降低到欠压保护阈值VCC_OFF以下时，芯片重启。
2.NMOS控制
当检测到A、K端正向导通电压大于开通电压VON时，则打开NMOS管；芯片实时检测K点电
压变化，依据K点电压变化，判断系统工作模式。
在CCM模式时，通过智能算法算出当前周期NMOS
管开通时间TON，当NMOS管开通时间达到TON，关闭NMOS管。在非CCM模式时，当检测到流
过功率MOS管的电流逐渐减小到0时。则关闭功率MOS管。
3.RC吸收电路
在A和K之间接入RC吸收电路，以减小K点的尖峰电压，避免内置NMOS管过压击穿。
4.NMOS导通内阻
由于NMOS管的本身存在的特性。在工作过程中，随着温度升高，内阻值会增大，效率会降低。
可适当的增加散热面积，降低IC的工作温度。
5.注意事项
l应用中需要测量同步芯片的耐压，确保同步整流芯片工作最高电压低于同步芯片
NMOS源漏耐压；
l应用中需要测量同步芯片的温度，评估产品工作环境最高温度下是否超过工作结温。
深圳市菲悦电子科技有限公司主营东科半导体全系列芯片，量大可长期原厂订货，价格美丽渠道保证，欢迎广大朋友来公司洽谈或来电咨询，我司为增值税一般纳税人，可开具13%增值税专用发票抵扣，同时可以为研究院和实验机构开具普通发票报帐。电话0755-82951790，手机：18924641231（微信同号）陆诚。

远心2020/5/139:20:40
BAV20W-TPSOD123品牌：MCC(美微科)MicroCommercialComponentsCorp.（MCC）成立于1991年，是一家向消费者市场提供高品质分立半导体的制造商。MCC的产品包括二极管，整流器，晶体管，MOSFET，稳压器和保护器件。
硅外延平面二极管
•通用
•该二极管也可用于其他情况。
•如有要求，可通过添加后缀“-HF”提供无卤素
•无铅饰面/符合Rohs（“P”后缀表示
符合RoHS。见订购信息）
标志代号：BAV19W=丝印A8
BAV20W=丝印T2或A80
BAV21W=丝印T3或A82
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