MOSFET-阵列-2-N-沟道（双）非对称型-30V-13A-27A-1W-表面贴装型-Power56晶体管 - FET，MOSFET - 阵列原厂授权经销商 热卖现货
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FDMS3600AS
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LOC110
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BC546CTA
FQD5N15TM
TIP32CG
规格
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A，27A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1785pF @ 15V
功率 - 最大值
1W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
Power56
TONY.ZOU（邹泽凯）
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