MRA4003T3G正品原装进口现货
MRA4003T3G封装：SMA
MRA4003T3G批号：20+
MRA4003T3G品牌：ON/安森美
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
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制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
整流器
RoHS:
详细信息
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SMA
Vr - 反向电压 :
300 V
If - 正向电流:
1 A
类型:
Standard Recovery Rectifiers
配置:
Single
Vf - 正向电压:
1.18 V
最大浪涌电流:
30 A
Ir - 反向电流 :
10 uA
恢复时间:
-
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
系列:
MRA4003T3
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
2 mm
长度:
4.32 mm
产品:
Rectifiers
端接类型:
SMD/SMT
宽度:
2.6 mm
商标:
ON Semiconductor
Pd-功率耗散:
-
产品类型:
Rectifiers
子类别:
Diodes & Rectifiers
单位重量:
120 mg
深科技拟定增不超17.1亿元 投资存储先进封测与模组制造项目
来源：中国证券网 综合整理作者：时间：2020-10-19 09:21
深科技存储先进封测
深科技公告，公司拟非公开发行不超89,328,225股股票，募资不超171,000万元，扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。
据披露，存储先进封测与模组制造项目总投资306,726.40万元，其中建设投资296,471.17万元，铺底流动资金10,255.23万元。项目建设周期为36个月，主要建设内容为：
（1）DRAM存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产能为4,800万颗
（2）存储模组业务，计划全部达产后月均产能为246万条模组
（3）NANDFlash存储芯片封装业务，计划全部达产后月均产能为320万颗
本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。
随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。
