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650 V碳化硅肖特基二极管
Vishay的4 A至40 A设备采用合并的PIN肖特基设计
维沙推出具有合并式PIN肖特基（MPS）设计的650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些器件旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率，而不受温度变化的影响，从而使器件可以在更高的温度下工作。器件的PIN肖特基（PIN Schottky）合并设计可屏蔽肖特基势垒的电场，以减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比，这些二极管可处理相同水平的电流，而正向压降仅稍有增加，同时显示出更高的耐用性，从而为设计人员提供了系统优化方面更大的灵活性。它们以2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装提供。
特征
合并PIN肖特基设计
正VF温度系数，易于并联
温度不变开关行为
额定电流范围为4 A至40 A
提供+ 175°C的高温操作
符合JESD 201 1A级晶须测试
提供2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装
应用领域
反激式电源供应器中的PFC和输出整流
服务器的LLC转换器
电信设备
UPS
太阳能逆变器
