N沟道200 V（D-S）MOSFET
•TrenchFET®功率MOSFET
•低热阻PowerPAK®封装
•经过100％的Rg和UIS测试
•材料分类：
有关符合性的定义，请参阅
应用领域：SI7172DP-T1-GE3
•一次侧开关
• 工业的
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 77 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 96 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
系列: SI7
宽度: 5.15 mm
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
零件号别名: SI7172DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
