位置:51电子网 » 企业新闻

MT40A256M16GE-083E:B

发布时间:2021/3/11 10:43:00 访问次数:297 发布企业:深圳市鹏顺兴科技有限公司

MT40A256M16GE-083E:B正品原装进口现货

MT40A256M16GE-083E:B封装:BGA

MT40A256M16GE-083E:B批号:20+

MT40A256M16GE-083E:B品牌:MICRON/美光

以下为公司现货库存,欢迎来电咨询!


TW8819-NA2-CRT ,MC79M12CDTRKG ,EFM8BB21F16G-C-QSOP24R , IGCM15F60GA , EFM8SB20F32G-B-QFN24R,NAU8810YG ;
MC79M12CDTRKG,TPS61089RNRR,TPA3116D2DADR , TPA3118D2DAPR , N32926U1DN ,NUC972DF62Y/61Y , NUC100RE3DN ,
MINI58ZDE , TLC5971RGER , BQ25619RTWR , TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI421T ,
MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR ,
PCM1808PWR , TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2G , MC14053BDTR2G , MBRD640CTT4G, TPS7A4001DGNR , TPS7A7001DDAR ,
CS6N70 ,STM32F101VCT6 , XMC1302-T038X0032AB , SC16IS752IBS , PESD5V0X1BCSFYL , BSS131H6327, AW9523BTQR , NSR0530HT1G ,
BSC067N06LS3GATMA1 , MC33078DR2G, BZX384-B5V6,115 , AAT4610IGV-1-T1, 0603ESDA2-TR2 , IRLMS6802TRPBF, AMS1117-5.0V ,
ZXM64N035GTA , RN1317 , IPD600N25N3G , BL5372 , AD9514BCPZ-REEL7 , BQ24314ADSGR , TPS61220DCKR , LM3478MMX , TAS5754MDCAR ,
XC3S50A-4FT256C , TS321QDBVRQ1 , DRV8870DDAR , EPM7128AETC144-7 , EPF10K130EF1484-2 , EP1S80F1020C6 ,
XC4VFX20-10FFG672C , XC4VFX20-10FFG672I , XC5VSX50T-1FFG665I , XC2VP40-6FF1152I , XC5VLX155T-1FFG1136I,
XC7K325T-2FFG900I , XC3S100E-TQG144, XC5VFX100T-2FFG1738I,XC4VFX20-10FF672I , XC3S1600R-4FG320I, AP4306BTTR-G1 ,
SN74LVU04ADBR,BSC057N06 , TS321QDBVRQ1 ,MC79M12CDTRKG,TAS5754MDCAR ,MC79M12CDTRKG, MC79M12CDTRKG ,
PCM1808PWR , TAS5731MPHRR, TPS54202DDCR, TPA3130D2DAPR , TAS5782MDCAR , TPS5548DCAR , TPA3221DDVR, TLV320AIC3254IRHBR ,
TPA3118D2DAPR , PCM5141PWR ,PCM5100APWR.TW8819-NA2-CRT ,MC79M12CDTRKG ,EFM8BB21F16G-C-QSOP24R ,
IGCM15F60GA , EFM8SB20F32G-B-QFN24R,NAU8810YG ,MC79M12CDTRKG,TPS61089RNRR,TPA3116D2DADR ,
TPA3118D2DAPR , N32926U1DN ,NUC972DF62Y/61Y , NUC100RE3DN , MINI58ZDE , TLC5971RGER , BQ25619RTWR ,
TPS62262TDRVRQ1 , LIF-MD6000-6UMG64I , TSSP4038 , IPW65R110CFDA , CY8C4014SXI-421T , MFI343S00177 , MK10DN512VLL10 ,
MC79M12CDTRKG , SC16IS740IPW, NAU8810YG , MC74LCX07DR2G , 74LVC1G08GV,125 , TAS5719PHPR , PCM1808PWR ,
TPS2511DGNR , TPS54331DDAR , MC14052BDTR2


制造商: Micron Technology
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
类型: SDRAM - DDR4
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: FBGA-96
数据总线宽度: 16 bit
组织: 256 M x 16
存储容量: 4 Gbit
最大时钟频率: 1200 MHz
电源电压-最大: 1.26 V
电源电压-最小: 1.14 V
电源电流—最大值: 83 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 95 C
系列: MT40A
封装: Tray
商标: Micron
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM


子类别: Memory & Data Storage

震惊!美“猎巫”行动全面开启,半导体人才赴美“警钟长鸣”?

来源:华强电子网作者:席安帝时间:2020-10-27 16:20

半导体人才美国


短短数年,曾经的“学术天堂”,已沦为“人才炼狱”。

曾几何时,美国一度是全球科技发展的重要“风向标”,在这一充满“自由”的学术天堂里,汇聚着全球各国的顶级人才。也正是在这种不同文化思维长期碰撞与磨合的氛围之下,陆续缔造出像苹果、IBM、微软、亚马逊、谷歌、特斯拉这样的商业神话,让美国持续位居科技界食物链顶端。

image002.jpg

但如今,这种盛况恐将成为历史,虽说美国现阶段仍然是全球科技界的领头羊,但这种优势正在逐步流失。从威胁中兴到打压华为,以至于后续将更多中国以及国外科技企业列入贸易黑名单,当下的美国正近乎疯狂的排挤国外企业。甚至在人才交流方面,美国也没有放过,今年5月,美国宣布取消对中国约3000人左右的留学生签证,涉及范围包括量子计算、大数据、半导体、5G、先进核技术、航空航天技术和人工智能等。

除了留学生禁令外,近些年,美国也正在以各种手段威逼利诱中国科学界专家和有影响力的人士赴美交流,钓鱼执法,一旦中国专家到了美国就对其进行无端的调查和抓捕,欲达到从细分领域扼制中国科技产业崛起的目的,险恶用心,昭然若揭。

1、弗吉尼亚大学访问学者胡海洲被捕后释放

典型比如今年8月25日,据美国司法部的新闻稿,现年34岁的胡海洲在芝加哥奥哈拉国际机场准备飞往中国青岛时被捕。他在过海关的时候,海关及边防局的人员询问了他在美国的一些活动,并检查了他随身携带的电子设备,包括一台联想笔记本计算机,两个外接硬盘,一个U盘,一个iPad和两部手机,发现了大约9,600个F90源文件。

image004.gif

根据联邦调查局(FBI)陈述书,胡海洲在弗吉尼亚大学研究的是仿生学和流体动力学,计算机里有他所有的研究数据,他准备一起带回国,随后他被指控窃取他的弗吉尼亚大学指导教授董海波(Haibo Dong,译音)研究了20年的仿生研究仿真软件代码,这些代码可以用于水下机器人、潜水设备、飞机发动机以及其它各种海洋和航空应用,通常具有军事用途,代表了维吉尼亚大学学术界成员多年来开发的结果。

不过,之后事件经历了大反转,在校方承认这位研究人员有授权获取其中某些内容后,位于弗吉尼亚州夏洛茨维尔的美国检察官办公室在9月20日提交撤诉动议。根据弗吉尼亚西区联邦法院文件,法官在9月21日批准撤诉,美国检察官办公室的发言人拒绝对此置评。至此,“心惊胆战”的胡海洲才得以返回中国。

2、加州大学关磊遭“无端调查”

比胡海洲更严重,据外媒报道,今年8月28日,一名在美国加州大学的中国籍研究员关磊也遭遇到美国联邦调查局的逮捕。联邦调查局给出的逮捕借口是,关磊可能向中国转移敏感的资料,并且毁坏电脑硬盘,企图毁灭“罪证”。

根据FBI提供的资料称,今年7月份,关磊的邻居看到他将一个损坏的硬盘丢进了垃圾桶,被质疑是在销毁相关证据。由此可见美国国家安全的脆弱性,日常丢个电子垃圾都有可能被认为是泄露美国机密。尽管这位关研究员一直在申请美国签证,却还是被美国特工怀疑。

image006.jpg

随后FBI对其展开调查,在关磊要搭乘航班回中国之际,FBI将其逮捕并要求检查其电脑,不过这一要求被关磊拒绝,而找回的硬盘因损坏无法修复,不过最终FBI还是对其发起了起诉,称他“可能”将敏感的美国软件或技术转移到国防科技大,同时关还否认他和中国军方的关系。据悉如果关磊的“毁灭证据”罪名成立,极有可能面临20年的监狱岁月。这项起诉已于9月17日开庭,最终结果如何暂未披露。

3、华为孟晚舟仍被“拘押中”

时至今日,距离孟晚舟被“无端抓捕”已过去整整600多天。2018年12月,加拿大应美国方面的要求拘留了在温哥华转机的孟晚舟,理由是指控她在华为与伊朗的商业交易上误导汇丰银行,导致汇丰银行违反了美国的制裁。孟晚舟称自己无罪,目前被“软禁”在温哥华,以司法手段对抗美方的引渡请求。

目前孟晚舟引渡案的审理已进入第二阶段,也就是孟晚舟的律师以加美双方涉嫌“程序滥用”为申诉理由,要求法庭中止对孟晚舟的引渡程序。程序滥用的前两个分支已经被法庭接受,第三个分支是7月份最新提交的。当据地时间9月30日,孟晚舟引渡案在不列颠哥伦比亚省高等法院结束了最新一轮听证,法官没有做出裁决。

image008.jpg

据悉,孟晚舟将于10月26日至30日再次出庭,因为有关加拿大和美国当局在拘捕她时是否滥用职权的听证会仍在继续,加拿大边境署和联邦警察的证人将在听证会上作证。而相应的,引渡听证会预计持续到2021年4月,由此可见,这实乃一场旷日持久的自由争夺战,足见美加两国的险恶用心。

4、天津大学教授张浩等多人被美“诱捕”

天大教授案起于2015年5月16日,当时36岁的张浩受邀前往美国凤凰城参加国际微波会议。他从中国乘搭飞机抵达美国,在洛杉矶国际机场入境时被捕,被控“串谋经济间谍活动”、“窃取贸易机密”等罪名。另外,还有六名中国公民也在本次被起诉,除了张浩以外还包括庞慰、陈津平。

据悉,美国定下的具体罪名是——张浩与庞慰在美国工作时窃取了安华高用于过滤智能手机多余无线讯号的滤波芯片相关资料,将其带回天津大学并创建了诺思微系统,并将生产的芯片出售给中国国家机构和国有企业。因此,今年6月27日,美国联邦法院裁定中国天津大学教授张浩窃取美国高科技商业机密、经济间谍罪等3项罪名成立,将面临最高10至15年监禁,以及每项罪名分别最高25万美元的罚款,在8月31日举行了量刑听证会并最终判决。

image010.jpg

天津大学教授张浩

但事实却并非如此,一名接近张浩和诺思公司的知情人士称,张浩与庞慰在美国时,就已是微机电滤波芯片领域的领军人物,经美国专利部门批准,在美获得7项专利。二人进入天大并成立诺思后,天大和诺思在该领域就已获得200余项专利。且2016年,诺思发现安华高销售给苹果公司的滤波芯片使用了庞慰和张浩研发的专利技术,并拆解苹果公司手持设备取证。

2017年9月28日,诺思曾向天津中院对苹果公司提起诉讼,但因各种原因被搁置审理至今。最后,却被倒打一耙,成为了美国“双标”下的“窃密者”属实惊为天人。不过,由于其他被告都在中国,事后并没有再去美国,因此美国也并不能做什么,张浩可能成了这起“扣帽子”案中唯一一名接受审讯的被告,这使得中国在相关领域的研究都进一步推迟。

5、福建晋华总经理陈正坤被美“通缉”

福建晋华案,是美国在细分领域公然制裁中国半导体企业的缩影。该案件起源于2016年,当时,联电与福建晋华集成签署技术合作协定,联电受到福建晋华委托开发DRAM技术,由福建晋华提供DRAM所需的机台设备,并依开发进度由晋华支付联电技术报酬金作为开发费用,而开发成果将由双方共同拥有。

但此事却引起了美国存储芯片巨头美光科技的侧目和担忧,2017年2月,联电资深副总经理陈正坤出任晋华集成总经理。但是,在2017年9月,美光在台湾控告联电,指控从美光跳槽到联电的员工窃取了美光的DRAM商业秘密,涉嫌将美光 DRAM 技术泄漏给联电,帮助联电开发32nm DRAM。2017年12月,美光在美国加州联邦法庭起诉联华电子与福建晋华,称联华电子通过美光台湾地区员工窃取其知识产权,包括存储芯片的关键技术,交给福建晋华。由此,开启了双方在专利领域的明争暗斗。

image012.jpg

福建晋华总经理陈正坤

2018年1月,联电反将一军,向福州市人民法院递状,控告美光在DRAM及固态硬盘(SSD)等存储产品涉嫌侵害联电大陆公司专利,导致美光科技26种芯片产品在中国遭到临时禁售。2018年7月,福州市中级人民法院裁定美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口十余款Crucial英睿达固态硬盘、内存条及相关芯片,并删除其网站中关于上述产品的宣传广告、购买链接等信息。同时裁定,美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口数款内存条产品。

2018年10月19日,晋华集成总经理陈正坤从桃园机场入境,接获由台湾“法务部”官员受美国司法部委托转交的美国联邦法院传票。当月底,美国商务部也以国家安全为由,宣布自10月30日起对晋华集成实施出口管制,被美国列入出口管制“实体清单”的中国企业。由于各方面的压力,最终,2019年1月底,联电宣布撤出福建晋华DRAM项目,并认列2300万美元费用损失。不过针对美国的单方面指控,福建晋华和台湾联电都未认罪。

而美国并没有善罢甘休,今年6月24日,美国旧金山联邦地方法院发出通缉令,将三名牵涉美国存储大厂美光DRAM技术商业机密案的三人列入通缉名单中,其中一人就是福建晋华总经理陈正坤。但这次被美国法院通缉的这三人并没有出席听证会,因此政府检察官要求法官对这三人发出逮捕令。熟知法律的人士指出,因为台湾与美国之间没有签订引渡条约,因此这三人几乎没有到美国出庭的动机。

小结:

随着中美“科技竞争”的愈演愈烈,编者认为,接下来美国也将更频繁的为中国科技界具有影响力的人士设下“陷阱”,以“扣帽子”抑或是“双标”手段来肆意抓捕中国科技行业有影响力的人才。因此,中国科技界尤其是半导体领域的从业者们急需提高警惕,时刻提防各类美国式“诱捕夹”。毕竟,一旦踏入猎捕圈,迎面而来的可能就是各种莫须有的“罪名”和“非法”的逮捕。

正如法国阿尔斯通公司前高管皮耶鲁齐所著《美国陷阱》中所述,如打击曾经的阿尔斯通和日本东芝那样,“为了让美国在科技界毫无竞争对手,美国已经可以通过各种非经济手段,配合国内的科技巨头,来步步瓦解掉全球他国的商业巨头。”因此,无论是科技企业还是有影响力的人才,警惕“美国陷阱”,人人有责。


上一篇:MSM321A3729H9HP-C

下一篇:AT24C32D-SS9M-T

相关新闻

相关型号



 复制成功!