三星首次公布了3nm制造技术的一些细节——3nm工艺中将使用类似全栅场效应晶体管(GAAFET)结构。不过有消息爆出，台积电的2nm工艺将采用GAA架构。也就是说，2nm或将是FinFET结构全面过渡到GAA结构的技术节点。在经历了PlanarFET、FinFET后，晶体管结构将整体过渡到GAAFET、MBCFET结构上。此外，一些新材料在制造过程中也将被引入。新思科技研究人员兼电晶体专家Moroz表示，到了未来的技术节点，间距微缩将减缓至每世代约0.8倍左右。工程师们开始探索其他许多技术，以降低金属导线上的电阻率，从而为加速取得优势开启大门。其方式包括新的结构，例如跨越多个金属层的梯度和超导孔(super-vias)。
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以及使用钴(Co)和钌(Ru)等新材料。无论是结构上的创新还是新材料的引入，2nm是一个非常关键的节点。原有的很多技术难以满足要求，产业界需要从器件的架构、工艺变异、热效应、设备与材料等方面综合解决。欧洲、日本均将重振芯片制造的突破重点放在2nm上，目的显然是希望在技术革新的关键节点导入，实现“换道超车”，同时以此为契机向1纳米甚至?(埃米)领域推进。不过2nm的开发并不容易，随着摩尔定律走向物理极限，芯片的制造面临着技术与成本的双重瓶颈。根据莫大康的介绍，目前的EUV光刻机其精度仍不足以满足2nm的需求。光刻技术的精度直接决定工艺的精度，对于2nm的先进工艺，高数值孔径的EUV技术还亟待开发。
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