制造商Infineon
产品种类IGBT模块产品IGBTSiliconModules 配置Dual
集电极—发射极最大电压VCEO1200V 集电极—射极饱和电压1.7V
在25C的连续集电极电流225A 栅极—射极漏泄电流400nA
功率耗散780W 最大工作温度+125C
封装/箱体62MM 栅极/发射极最大电压+/-20V
最小工作温度-40C
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FF150R12KT3G
发布时间:2012/12/26 17:12:00 访问次数:205
FF150R12KE3G产品属性
制造商Infineon
产品种类IGBT模块
产品IGBTSiliconModules 配置Dual
集电极—发射极最大电压VCEO1200V 集电极—射极饱和电压1.7V
在25C的连续集电极电流225A 栅极—射极漏泄电流400nA
功率耗散780W 最大工作温度+125C
封装/箱体62MM 栅极/发射极最大电压+/-20V
最小工作温度-40C
制造商Infineon
产品种类IGBT模块产品IGBTSiliconModules 配置Dual
集电极—发射极最大电压VCEO1200V 集电极—射极饱和电压1.7V
在25C的连续集电极电流225A 栅极—射极漏泄电流400nA
功率耗散780W 最大工作温度+125C
封装/箱体62MM 栅极/发射极最大电压+/-20V
最小工作温度-40C
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