CSD85301Q2

制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: WSON-FET-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 27 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 600 mV
Qg-栅极电荷: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Dual
下降时间: 15 ns, 15 ns
正向跨导 - 最小值: 20 S, 20 S
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 26 ns, 26 ns
系列: CSD85301Q2
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 14 ns, 14 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 6 ns
宽度: 2 mm
单位重量: 9.700 mg