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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 760 mA
Rds On-漏源导通电阻: 600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 3.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - 最小值: 0.44 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.2 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: IRLML5103TRPBF SP001572946
单位重量: 8 mg
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LM2902VQDR TI
LM2902VQDRQ1-S TI
LM2903 TI
LM2903AVQDR TI
LM2903AVQDRG4Q1 TI
LM2903AVQDRQ1 TI
LM2903AVQPWR TI
LM2903AVQPWRG4 TI
LM2903AVQPWRG4Q1 TI
LM2903AVQPWRQ1 TI
LM2903D TI
LM2903DGK TI
LM2903DGKR TI
LM2903DGKRG4 TI
LM2903DR TI
LM2903DR2G TI
LM2903DRG3 TI
LM2903DRG4 TI
LM2903DT TI
LM2903GKR TI
LM2903IDRDL TI
LM2903ITL/NOPB TI
LM339DB TI
LM339DBR TI
LM339DG TI
LM339DR TI
LM339DR2G TI
LM339DRG3 TI
LM339DRG4 TI
LM339DT TI
LM339EDT TI
LM339IDR TI
LM339J TI
LM339M TI
LM339M/NOPB TI
LM339MX/NOPB TI
LM339N TI
LM339NS-A TI
LM339NSR TI
LM339NSRG4 TI
LM339P TI
LM3S1R26-IQR80-C3 TI
LM3S1Z16-IQR50-C3 TI
LM3S2016-IQC50-A2 TI
LM3S2093 TI
LM3S2110-IQC25-A2 TI
LM3S2139-IQC25-A2 TI
LM3S2412-IQC25-A2 TI
LM3S2432-IQC50-A2 TI
LM3S2608-IQC50-A2 TI
