产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 16.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 88 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFZ46NPBF SP001571842
单位重量: 2 g
我司拥有多年的厂家配套经验，承接各类客户生产需求的采购货单配套，诚实守信，欢迎来电咨询！我们都以100％的热情为您真诚服务。
TPS76130DBVR TI
TPS76130DBVRG4 TI
TPS76130DBVT TI
TPS76132DBVR TI
TPS76132DBVT TI
TPS76133DBVR TI
TPS76133DBVRG4 TI
TPS76133DBVT TI
TPS76133DBVTG4 TI
TPS76138DBVR TI
TPS76150DBVR TI
TPS76150DBVT TI
TPS76201DBVR TI
TPS76201DBVRG4 TI
TPS76201DBVT TI
TPS76301DBVR TI
TPS76301DBVRG4 TI
TPS76301DBVT TI
TPS76301P TI
TPS76315DBVR TI
TPS76316DBVR TI
TPS76316DBVRG4 TI
TPS76316DBVT TI
TPS76318DBV TI
TPS76318DBVR TI
TPS76318DBVRG4 TI
TPS76318DBVT TI
TPS76318DBVTG4 TI
TPS76325DBVR TI
TPS76325DBVRG4 TI
TPS76325DBVT TI
TPS76325QDBVRG4Q1 TI
TPS76325QDBVRQ1 TI
TPS76327DBVR TI
TPS76327DBVT TI
TPS76328DBVR TI
TPS76328DBVR PBDI TI
TPS76328DBVRG4 TI
TPS76328DBVT TI
TPS76330DBV TI
TPS76330DBVR TI
TPS76330DBVR PBII TI
TPS76330DBVRG4 TI
TPS76330DBVT TI
TPS76333DBVR TI
TPS76333DBVRG4 TI
TPS76333DBVT TI
TPS76333DBVTG4 TI
TPS76333QDBVRG4Q1 TI
TPS76333QDBVRQ1 TI
