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IRF200P223

发布时间:2022/4/19 13:55:00 访问次数:93

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 102 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 313 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube

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