位置:51电子网 » 企业新闻

IRF200P223

发布时间:2022/4/19 13:55:00 访问次数:89

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 102 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 313 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube

公司其他热卖型号
STM32G431CBT6
IPA80R280P7
KSZ8041FTL-S
FAN7380MX
AFE4490RHAR
LTC7003HMSE
LTC7003IMSE
RT9183HPS
BSS84PH6327

上一篇:STM32G431CBT6

下一篇:WGI210ITSLJXT

相关新闻

相关型号



 复制成功!