MOSFETs晶体管
阈值电压Vgs(th) 4V@250μA
FET类型 N沟道不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） 125毫欧@10A，10V
漏源极电压（Vdss） 200V
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
工作温度(Tj) -55°C~175°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-428,DPAK
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其他型号还有
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VISHAY/威世
IHLP2525CZER2R2M01
VISHAY/威世
AD7788ARMZ
ADI/亚德诺
SII1161CTU
SILICONIMA
SII1161CTU
SILICONIMA
TPS54427DDAR
TI/德州仪器
TPS54418RTER
TI/德州仪器
CC2650F128RHBR
TI/德州仪器
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CC2650F128RGZR
TI/德州仪器
HI3516RFCV100
HISILICON/海思
EM6A9160TSA-5G
ETRONTECH
MAX6166AESA+T
MAXIM美信
EM6A9160TSA-5G
ETRONTECH
ST232ECDR
ST/意法
ST232ECDR
ST/意法
CSD17322Q5A
TI/德州仪器
SPM5015T-R86M-LR
TDK/东电化
ATTINY13A-PU
ATMEL/爱特梅尔
ATTINY4313-SU
MICROCHIP/微芯
ATTINY24A-SSUR
MICROCHIP/微芯
EPM2210F256C5
ALTERA/阿尔特拉
MB1507PF-G-BND
FUJITSU/富士通
ATTINY24-20SSU
ATMEL/爱特梅尔
US1B-13-F
DIODES/美台
TSM103WAIDT
ST/意法
OV09714-A49A
VMNIVISIO
OV09714-A49A
VMNIVISIO
US1B-13-F
DIODES/美台
LM359N
NS
ADP171AUJZ-R7
ADI/亚德诺
IRGP4068D-EPBF
IR
LM3S1138-IQC50-A2
TI/德州仪器
LM3S1138-IQC50-A2
TI/德州仪器
LM3S1138-IQC50-A2
TI/德州仪器
88E1512-A0-NNP2I000
MARVELL
88E1512-A0-NNP2C000
MARVELL
88E1512-A0-NNP2C000
MARVELL
KAQY210S
COSMO
CC2590RGVR
TI/德州仪器
EP3C40F484C8N
ALTERA/阿尔特拉
TLP750
TOSHIBA/东芝
TLP750
TOSHIBA/东芝
MIC4426CM
MICREL/麦瑞
RTS5128
REALTEA
MIC4427YM
MICROCH
MIC4427YM
MICROCH
MIC4427CM
MICREL/麦瑞
MIC4426BM
MICREL/麦瑞
MIC4424YM
MICREL/麦瑞
MIC4424YM-TR
MICROCHIP/微芯
XRT83L30IV
EXAR/艾科嘉
XRT83L30IV
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AD6620ASZ-REEL
ADI/亚德诺
W9825G6JH-6
WINBOND/华邦
W9825G6JH-6
WINBOND/华邦
W9825G6JH-6
WINBOND/华邦
W9825G6JH-6
WINBOND/华邦
W9825G6JH-6
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BQ24192RGER
TI/德州仪器
BQ24192IRGER
TI/德州仪器
NCP1654BD65R2G
ON/安森美
HT7133A-1
HOLTEK/合泰
ADS8325IBDGKR
TI/德州仪器
P89C669FA
NXP/恩智浦
P89C664HFA
PHILIPS/飞利浦
ADS8326IDGKR
TI/德州仪器
WGI210AT SLJXQ
INTEL/英特尔
WGI210AT SLJXR
INTEL/英特尔
